王曦，材料科学家，博士，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员，2009年当选为中国科学院院士。1966年8月生于上海，籍贯江苏南通。1987年毕业于清华大学工程物理系，1990年、1993年先后获中国科学院上海冶金研究所（现上海微系统与信息技术研究所）硕士、博士学位。在中国科学院上海微系统与信息技术研究所曾任研究员、博士生导师、所长助理、副所长、党委副书记、党委书记；现任党委书记、常务副所长。兼任国家中长期科技规划《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》重大专项总体专家组副组长。

王曦院士长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将研究成果应用于电子材料SOI（Silicon-on-insulator）的开发。在对离子注入SOI合成过程中的物理和化学过程研究基础上，自主开发了一系列将SOI材料技术产业化的关键技术，建立了我国SOI材料研发和生产基地。在载能离子束与固体相互作用以及离子束辅助薄膜沉积技术研究方面，揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学、光学、生物学特性，实现了载能离子束薄膜生长的可控制性。曾获中国科学院自然科学奖三等奖、中国科学院发明奖二等奖、上海市科技进步奖一等奖、中国科学院杰出科技成就奖、国家科技进步奖一等奖及“何梁何利基金科学与技术进步奖”等多项奖励。